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硅襯底會(huì)是LED芯片領(lǐng)域下一個(gè)被爭(zhēng)搶的技術(shù)

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2015-10-07  瀏覽次數(shù):1076
核心提示:  從目前LED照明節(jié)能燈芯片襯底材料的使用來看,除了Cree采用碳化硅襯底、晶能采用硅襯底(Si),世界上絕大多數(shù)的LED芯片制造
   從目前LED照明節(jié)能燈芯片襯底材料的使用來看,除了Cree采用碳化硅襯底、晶能采用硅襯底(Si),世界上絕大多數(shù)的LED芯片制造商都采用藍(lán)寶石襯底。幾家國(guó)際大廠也在大力跟進(jìn)硅襯底大功率LED照明芯片技術(shù),如東芝購買了普瑞的技術(shù)后切入硅襯底,三星宣布明年的技術(shù)路線和產(chǎn)品是硅襯底的芯片。種種市場(chǎng)跡象和技術(shù)趨勢(shì)表明,硅襯底會(huì)是LED芯片領(lǐng)域下一個(gè)被爭(zhēng)搶的技術(shù)。

  談到硅襯底如何能在藍(lán)寶石襯底壟斷半壁江山的情況下另開辟出一片新天地,陳振博士非常熟稔地向記者介紹硅的優(yōu)勢(shì)。他表示,首先是襯底材料本身的優(yōu)勢(shì)。硅襯底材料具有低成本、大尺寸、可導(dǎo)電的特點(diǎn)。硅襯底比藍(lán)寶石更加適合于大尺寸外延。藍(lán)寶石襯底技術(shù)從2寸轉(zhuǎn)向6寸、8寸時(shí)技術(shù)壁壘非常高,生產(chǎn)成本不降反升。而硅襯底卻恰恰相反,可以在大尺寸上制作,從2寸到6寸,甚至更大尺寸,從而避免邊緣效應(yīng),大幅度提高良率。硅集成電路產(chǎn)業(yè)不斷提高襯底尺寸,從8寸到10寸,乃至12寸也是這個(gè)原因。另外,器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)。硅襯底LED照明節(jié)能燈是垂直結(jié)構(gòu),單面發(fā)光,可使硅襯底LED照明節(jié)能燈的光斑好,方向容易管控,電流擴(kuò)散快,適合大電流驅(qū)動(dòng)。良好的導(dǎo)熱性能可以使制造的LED器件的散熱更好。

 
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