LED靜電失效原理

由于環(huán)境中存在不同程度的靜電，通過靜電感應(yīng)或直接轉(zhuǎn)移等形式LED芯片的PN結(jié)兩端會積聚一定數(shù)量的極性相反的靜電電荷，形成不同程度的靜電電壓。

當(dāng)靜電電壓超過LED的最大承受值時，靜電電荷將以極短的時間（納秒）在LED芯片的兩個電極間放電，從而產(chǎn)生熱量。在LED芯片內(nèi)部的導(dǎo)電層、PN結(jié)發(fā)光層形成1400℃以上的高溫，高溫導(dǎo)致局部熔融成小孔，從而造成LED漏電、變暗、死燈，短路等現(xiàn)象。

被靜電擊損后的LED，嚴重的往往會造成死燈、漏電。輕微的靜電損傷，LED一般沒有什么異常，但此時，該LED已經(jīng)有一定的隱患，當(dāng)它受到二次靜電損傷時，那就會出現(xiàn)暗亮、死燈、漏電的機率增大。通過案例分析總結(jié)，當(dāng)LED芯片受到輕微的、未被覺察的靜電損傷，這時候需要掃描電鏡放大到一萬倍以上進一步確診，以防更高機率的失效事故發(fā)生。

掃描電鏡下的藍光LED靜電擊穿點（放大倍數(shù)：1.3萬倍）

抗靜電指標(biāo)取決于LED芯片，但LED燈更容易受靜電損傷

LED燈珠的抗靜電指標(biāo)高低取決于LED發(fā)光芯片本身，與封裝材料預(yù)計封裝工藝基本無關(guān)，或者說影響因素很小，很細微；LED燈更容易遭受靜電損傷，這與兩個引腳間距有關(guān)系，LED芯片裸晶的兩個電極間距非常小，一般是一百微米以內(nèi)吧，而LED引腳則是兩毫米左右，當(dāng)靜電電荷要轉(zhuǎn)移時，間距越大，越容易形成大的電位差，也就是高的電壓。所以，封成LED燈后往往更容易出現(xiàn)靜電損傷事故。

抗靜電指標(biāo)好是LED綜合性能可靠的綜合體現(xiàn)

LED的抗靜電指標(biāo)絕不僅僅是簡單地體現(xiàn)它的抗靜電強度，了解LED芯片外延設(shè)計制造的的人都了解，LED芯片的抗靜電能力與其漏電值、整體可靠性有很大關(guān)系，更是一個綜合質(zhì)素和可靠性的綜合體現(xiàn)，因為往往抗靜電能力高的LED，它的光特性、電特性都會好。

LED的抗靜電指標(biāo)好不僅僅意味著能適用在各類產(chǎn)品和各種環(huán)境中，還是LED綜合性能可靠的體現(xiàn)。根據(jù)不同品牌的LED抗靜電指標(biāo)，各國際LED大廠的LED抗靜電通常都比較好，而部分B品、雜牌、韓系芯片抗靜電仍然很低。LED抗靜電能力的高低是LED可靠性的核心體現(xiàn)。即便LED的亮度和電性指標(biāo)都很好，一旦其的抗靜電指標(biāo)低，就很容易因靜電損傷而死燈。

熟悉LED制造的企業(yè)都深知目前中國LED業(yè)內(nèi)的產(chǎn)品質(zhì)量參差不齊，不同質(zhì)量的LED，穩(wěn)定性相差甚遠，使得不少LED用戶困惑無比，甚至深受其害。

其中又以因LED抗靜電低引起的暗亮、死燈、漏電等質(zhì)量事故最為損失慘重，尤其目前有一些質(zhì)量并不高的部分臺系次品、韓系企業(yè)的芯片大量涌入，即便是大廠產(chǎn)品，中間銷售商以次充好的現(xiàn)象時常發(fā)生，很多公司面臨著巨大的風(fēng)險。業(yè)界專家認為，LED封裝企業(yè)只要選用抗靜能力電高一些的LED芯片，做好封裝工序，產(chǎn)品肯定可靠穩(wěn)定。

檢測方法

不少企業(yè)都是通過“試用一批看看后果”的方式來評估LED的抗靜電，其實這是一個周期長、誤差大、成本高、風(fēng)險大的評估方法。

靜電擊穿LED是個非常復(fù)雜的過程。LED抗靜電測試時必須將靜電直接施加在LED的兩個引腳上，儀器的放電波形有嚴格的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。其中有人體模式和機械模式兩種都是用來測量被測物體的抗靜電能力強弱的。

人體模式：當(dāng)靜電施加到被測物體時，串聯(lián)一個330歐姆的電阻施加出去，這就是模擬人與器件的接觸時電荷轉(zhuǎn)移，人與物體接觸通常也在330歐姆作用，所以叫人體模式。

機械模式：將靜電直接作用于被測器件上，模擬工具機械直接將靜電電荷轉(zhuǎn)移到器件上，所以叫機械模式。

這兩者測試儀器內(nèi)部靜電電荷儲能量、放電波形也有些區(qū)別。采用人體模式測試的結(jié)果一般為機械模式的8-10倍。LED行業(yè)，以及現(xiàn)在很多企業(yè)都使用人體模式的指標(biāo)。