法國顯示器開發(fā)商Aledia率先推出了突破性的Micro LED顯示器技術(shù)，今天宣布已制造出世界上第 一批在300mm（12“）硅晶圓上生產(chǎn)的Micro LED芯片。該公司在過去八年中在200mm（8“）硅晶片上開發(fā)了突破性技術(shù)，并將在200mm和300mm晶片上生產(chǎn)芯片。較大的晶圓可提供更好的經(jīng)濟收益，并且可與較小節(jié)點的電子產(chǎn)品（具有較高的成本效益）集成，而較小節(jié)點的電子產(chǎn)品僅在300mm硅晶圓上可用。Aledia于2012年從法國微電子和納米技術(shù)研究機構(gòu)CEA-Leti分離出來，Aledia和CEA-Leti聯(lián)合團隊在300mm晶圓上進行了研究。

Aledia首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Giorgio Anania表示，我們是世界上首個在大面積300mm硅晶圓上生產(chǎn)Micro LED，并且使這項技術(shù)具有巨大的潛在批量生產(chǎn)能力。更大的尺寸允許在單個300mm晶圓上制作60-100個智能手機顯示屏，而使用目前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的4英寸藍(lán)寶石襯底大約可以制作4-6個顯示屏。得益于Aledia獨特的納米線LED技術(shù)（3D LED，使用標(biāo)準(zhǔn)厚度（780μm）的硅晶片），可以用市面上現(xiàn)有的工藝和設(shè)備完成。

傳統(tǒng)的平面二維Micro LED是通過將GaN晶體的平坦層沉積在直徑為100-150mm（4-6英寸）的藍(lán)寶石晶片上來生產(chǎn)的。Aledia的Micro LED技術(shù)在大面積硅（稱為3D）上生長GaN納米線（亞微米直徑的GaN晶體）。這種3D納米線技術(shù)不會在2D芯片上產(chǎn)生任何應(yīng)力，這種應(yīng)力會隨著晶圓尺寸的增加而累積，因此可以使用超大型晶圓。此外，這種基于硅的技術(shù)還允許在傳統(tǒng)的硅鑄造廠中進行生產(chǎn)，而且產(chǎn)量極高。

CEA-Leti首席執(zhí)行官Emmanuel指出，3D納米線Micro LED有潛力滲透到大型顯示器市場。今天，CEA-Leti在支持顯示行業(yè)向micro-LED技術(shù)的過渡中非常活躍。

Aledia首席執(zhí)行官Anania則表示，大面積硅片和微電子代工廠的使用是滿足最終用戶市場需求的大批量生產(chǎn)的途徑，如果只有60英寸和更大尺寸的大屏幕電視過渡使用該技術(shù)，那么每年將需要2400萬個300mm晶圓。

此外，Aledia的技術(shù)受到197個專利家族的保護，是法國申請專利的領(lǐng)先的初創(chuàng)公司。