近日，外媒報道，堆疊式RGB Micro LED微型顯示器開發(fā)商Sundiode宣布，與GaN技術開發(fā)商Soft-Epi共同實現(xiàn)在單個藍寶石晶圓上生長單片全InGaN RGB LED結構。
資料顯示，Sundiode總部位于美國加州，致力于開發(fā)用于AR/MR等設備的Micro LED顯示技術。2021年4月，Sundiode公布其專有的堆疊式RGB Micro LED像素技術。與傳統(tǒng)Pick & Place工藝單獨轉移R/G/B三個像素方式不同，Sundiode的專有技術，只需將單晶圓上的堆疊式RGB Micro LED像素陣列直接接合到硅基CMOS背板上。
據(jù)了解，Sundiode的外延技術使得開發(fā)多結（Multiple junctions）堆疊式RGB LED芯片成為了可能，芯片能夠獨立地發(fā)出RGB光色。采用這種芯片結構，制造商更易于生產(chǎn)出超高密度微型顯示器。
Sundiode表示，由于在晶圓上測試采用了快速檢查方法，單片RGB LED結構可作為級聯(lián)多結LED（Cascade multi-junction LED）工作，檢測所發(fā)出的光線則證實級聯(lián)LED的正常運作。
本次研發(fā)的合作方Soft-Epi來自韓國，作為一家GaN技術開發(fā)商，已在2021年成功開發(fā)基于GaN的紅、藍、綠光LED。而在去年，Soft-Epi開發(fā)出號稱韓國首款的紅色GaN外延片，目前該產(chǎn)品已量產(chǎn)出貨。
資料顯示，Sundiode總部位于美國加州，致力于開發(fā)用于AR/MR等設備的Micro LED顯示技術。2021年4月，Sundiode公布其專有的堆疊式RGB Micro LED像素技術。與傳統(tǒng)Pick & Place工藝單獨轉移R/G/B三個像素方式不同，Sundiode的專有技術，只需將單晶圓上的堆疊式RGB Micro LED像素陣列直接接合到硅基CMOS背板上。
