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三代半“上車”!國星光電SiC-SBD通過車規(guī)級認證

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2023-03-13  瀏覽次數(shù):1458
核心提示:近日,國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證,并獲得AEC-Q101車規(guī)級認證。這標志著國星光電第三代半導體功率器件產品從工業(yè)領域向新能源汽車領域邁出堅實步伐。
 近日,國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證,并獲得AEC-Q101車規(guī)級認證。這標志著國星光電第三代半導體功率器件產品從工業(yè)領域向新能源汽車領域邁出堅實步伐。

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提升性能,做實高品質產品

通過認證的國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達1000小時的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗證,仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài),可更好地適應復雜多變的車載應用環(huán)境,具備高度的可靠性、安全性和穩(wěn)定性。

 

此外,相比傳統(tǒng)的硅基二極管產品,SiC-SBD器件在高耐壓、高導熱、低損耗等性能方面表現(xiàn)更出色,并且擁有快速的恢復時間,可以提高開關速率,減小磁性元件和其它無源元件的尺寸,更節(jié)省空間與重量,可適配尺寸較小的終端產品,適用于新能源電動汽車的車載充電機、控制系統(tǒng)以及汽車充電樁電路等場景。


公司SiC-SBD產品應用場景示意圖

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拓展應用,推進三代半“上車”

隨著新一輪科技革命和產業(yè)變革加速演進,半導體新興應用領域發(fā)展迅猛。第三代半導體作為國星光電前瞻布局的重要方向之一,在過去一年里,公司面向SiC(碳化硅)及GaN(氮化鎵)開發(fā)的系列新產品已陸續(xù)問世,如應用于光伏逆變、儲能、充電樁等場景的NSiC-KS系列產品;應用于太陽能發(fā)電、電網傳輸、風力發(fā)電等領域的NS62m功率模塊;應用于照明及大功率驅動市場的GaN-IC器件等,已逐漸形成品類豐富、品質上乘的產品布局,并與多家知名廠商建立良好的合作關系。

 


應用場景示意圖


此次通過認證的車規(guī)級SiC-SBD是國星光電布局車載應用推出的首款車載功率器件,此外,公司車規(guī)級SiC-MOSFET分立器件及all-SiC功率模塊系列產品已同步在車規(guī)系列技術路線中布局,將為國星光電第三代半導體產品加快滲透新能源車載領域,推動公司高質量發(fā)展“加速跑”注入源源不斷的新動能。


 
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