近日，美國Micro LED基芯片到芯片光學(xué)互連技術(shù)開發(fā)商Avicena，展示了全球首款采用 16nm FinFET CMOS工藝打造的Micro LED基收發(fā)器IC，帶寬達(dá)到1Tbps。 該公司表示，與當(dāng)前基于VCSEL或硅光子的解決方案相比，其基于Micro LED打造的LightBundle通信架構(gòu)技術(shù),可提供更低的功耗和延遲、更高的帶寬和更低的成本。
據(jù)悉，LightBundle技術(shù)基于GaN基Micro LED陣列所制造，可集成在所有高性能的CMOS集成電路上，具備高帶寬密度和能源效率，應(yīng)用場景涵蓋高性能計算系統(tǒng)（HPC）、人工智能（AI）/機器學(xué)習(xí)（ML）和分離式內(nèi)存芯片間的互連、傳感器、5G無線及航空航天等下一代鏈路領(lǐng)域。
Micro LED基收發(fā)器IC
本次Avicena通過全新16 nm FinFET工藝打造的IC，擁有超過300個通道，每個通過提供4Gbps帶寬，超過1Tbps的雙向總帶寬。此外，IC尺寸小于12mm2，包含了光學(xué)發(fā)送和接收陣列電路，以及高速并行電氣接口和各種測試設(shè)計、可制造性分析（DFT/DFM）功能。
Avicena表示，未來在LightBundle技術(shù)的加持下，公司將打造尺寸更小，帶寬、密度更高的互連產(chǎn)品。
值得注意的是，在人工智能、高性能計算軟件與應(yīng)用需求不斷提升的背景下，對于LightBundle通信架構(gòu)技術(shù)的應(yīng)用需求正在不斷提升。Avicena為滿足超大型數(shù)據(jù)中心運營商和世界領(lǐng)先的IC企業(yè)等客戶對公司產(chǎn)品的需求，在今年3月與ams OSRAM達(dá)成了合作協(xié)議，量產(chǎn)應(yīng)用于LightBundle通信架構(gòu)技術(shù)的GaN Micro LED陣列。
