其中，“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”專項涉及MicroLED/OLED、量子點技術(shù)等新型顯示材料與器件、第三代半導(dǎo)體材料與器件、前沿電子材料與器件等4類。

新型顯示材料與器件包括蒸鍍AMOLED材料與器件關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化、高性能綠光激光外延材料、器件及應(yīng)用研究、8K激光顯示光學(xué)引擎與抗光屏幕、溶液法疊層QLED顯示關(guān)鍵材料及器件研究、高效晶態(tài)圓偏振OLED關(guān)鍵材料及器件研究、溶液加工型超高分辨全色有機微顯示器件、量子點協(xié)同增效彩色反射式顯示技術(shù)、限域液體調(diào)控及光電材料圖案化陣列的高精制造、具有分子發(fā)光偶極水平取向發(fā)光層的溶液加工型有機發(fā)光二極管關(guān)鍵技術(shù)研究、面向Micro LED全彩顯示的色轉(zhuǎn)換層高分辨率噴印制備技術(shù)、激光顯示用紅綠藍VCSEL 材料、器件及應(yīng)用研究。

第三代半導(dǎo)體材料與器件包括第三代半導(dǎo)體用高端金屬有機源與耐高能量密度封裝材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)。

大功率激光材料與器件包括中紅外波段玻璃光纖增益材料及應(yīng)用、低損耗空芯傳能光纖材料及應(yīng)用、高功率準連續(xù)摻銩光纖激光及應(yīng)用、GHz重頻飛秒激光技術(shù)、高功率承載能力SBS 器件與應(yīng)用、高功率密度905nm多節(jié)半導(dǎo)體激光芯片、半導(dǎo)體-高質(zhì)量晶體異質(zhì)材料生長及應(yīng)用。

前沿電子材料與器件包括高性能空間智能計算關(guān)鍵拓撲材料及自旋軌道矩電子器件研究、低功耗CMOS氧化物薄膜晶體管及其三維集成技術(shù)研究、基于感存算一體化的有機觸覺神經(jīng)形態(tài)材料與器件、寬光譜響應(yīng)調(diào)控量子點探測材料及其異質(zhì)堆疊集成技術(shù)、面向人工視網(wǎng)膜顯示的全透明有機薄膜晶體管關(guān)鍵技術(shù)研究、基于半導(dǎo)體Te 的光電器件及仿生視覺感知芯片研究、基于相變材料的全固態(tài)彩色反射式顯示器件、支撐高性能鍺基邏輯器件的高效原位摻雜材料研究。（來源：工信部）