垂直結(jié)構(gòu)LED產(chǎn)品采用晶元鍵合技術(shù)工藝,將生長(zhǎng)在不導(dǎo)電、不導(dǎo)熱襯底上的外延結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到導(dǎo)熱、導(dǎo)電性優(yōu)異的襯底上,再采用剝離技術(shù)工藝將外延結(jié)構(gòu)與生長(zhǎng)襯底剝離,使得led器件的散熱問題得到解決，提高了器件的光電性能和可靠性, 而且垂直結(jié)構(gòu)LED可以在更高的電流密度下驅(qū)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)單位面積芯片發(fā)光強(qiáng)度的大幅提升,大大減低了產(chǎn)品的生產(chǎn)和使用成本。  

映瑞光電ER-CZ-1818系列垂直結(jié)構(gòu)LED的優(yōu)勢(shì)主要有以下幾點(diǎn)： 第一，在同等驅(qū)動(dòng)電流密度條件下，和正裝LED芯片相比，垂直結(jié)構(gòu)LED芯片發(fā)光效率大幅度提升。如圖2測(cè)試數(shù)據(jù)所示, 垂直芯片ER-CZ-1818發(fā)光效率比正裝ER-ZZ-0920高15%。 第二，垂直結(jié)構(gòu)LED可采用更大的驅(qū)動(dòng)電流密度。 比如ER-ZZ-0920的最大驅(qū)動(dòng)電流密度為0.5A/mm^2, 而ER-CZ-1818最大驅(qū)動(dòng)電流密度可達(dá)1.0 A/mm^2。在1 A/mm^2的大電流密度下，即使同時(shí)保持和ER-ZZ-0920在0.5A/mm^2電流密度條件下同等的光效,一顆ER-CZ-1818可以取代3-4顆ER-ZZ-0920，而其芯片面積只是ER-ZZ-0920的1.8倍，從而體現(xiàn)出映瑞光電垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的附加值。第三，垂直結(jié)構(gòu)芯片軸向光比較強(qiáng)，封裝時(shí)只需要打一根線，更適合COB的封裝和應(yīng)用。

映瑞光電垂直結(jié)構(gòu)ER-CZ-1818的綜合性能可與世界知名同類產(chǎn)品相媲美，在電壓、漏電、光效等方面優(yōu)于世界知名同類產(chǎn)品（見表1.）。此外，ER-CZ-1818產(chǎn)品采用藍(lán)寶石襯底剝離技術(shù)，剝離后的藍(lán)寶石襯底可循環(huán)使用，降低芯片工藝制造成本，在性價(jià)比上有明顯優(yōu)勢(shì)。映瑞光電垂直結(jié)構(gòu)ER-CZ-1818芯片將于2014年第三季度開始投放市場(chǎng)，可以送樣品到客戶端進(jìn)行驗(yàn)證，歡迎合作！

圖1.ER-CZ-1818芯片                                                切割裂片后的ER-CZ-1818芯片
 

圖2.ER-CZ-1818芯片與ER-ZZ-0920芯片的性能對(duì)比

表1. ER-CZ-1818芯片與世界知名同類產(chǎn)品性能對(duì)比

*封裝測(cè)試方法采用世界知名同類產(chǎn)品的封裝測(cè)試方法：鍍金TO39支架，裸芯封裝測(cè)試，測(cè)試采用杭州中為0.3米積分球。

**該技術(shù)參數(shù)選自世界知名同類產(chǎn)品規(guī)格書。