近日，臺灣交通大學(xué)郭浩中教授團(tuán)隊(duì)為了解決目前微顯示發(fā)光二極管（Micro LED）三基色轉(zhuǎn)移的問題，發(fā)展出一種在單一芯片上利用量子史塔克效應(yīng)（Quantum Stark Effect）與量子點(diǎn)噴涂技術(shù)形成RGB三原色的微顯示Micro LED技術(shù)，不但保證了亮度，也解決了紅光與綠光在制程與均勻度的問題，為未來Micro LED量產(chǎn)化找到了一個比較好的技術(shù)捷徑。在移動通信方面，5G將會是未來十年人類最重要的通信技術(shù)，毫米波的使用將促使基站與終端手機(jī)的射頻元器件要求越來越高，高線性度、高功率附加效率與高可靠度的要求都會促使新材料與新技術(shù)進(jìn)一步的發(fā)展，氮化鎵（GaN）的高電子遷移率場效電晶體（HEMT）將會是未來最重要的器件，除了5G的應(yīng)用，它更可以用在電力電子的功率半導(dǎo)體器件，可以提高能源使用效率，讓地球更美好。

在這兩個技術(shù)突破的過程中，原子層沉積ALD（Atomic Layer Deposition）技術(shù)扮演了非常重要的角色，尤其是對元器件的保護(hù)至關(guān)重要，ALD技術(shù)目前已經(jīng)廣泛使用在集成電路IC與光電產(chǎn)業(yè)，尤其是在關(guān)鍵的功能性納米膜層與芯片器件的保護(hù)膜層上。（此次ALD設(shè)備，主要與芬蘭的設(shè)備商Picosun公司合作）